Les constructeurs Intel et Micron (qui possède les marques Lexar et Crucial) viennent d’annoncer la disponibilité de leur mémoire flash NAND 3D qui permettra dans le futur de fabriquer des SSD 2,5 pouces de 10 To. Cette technologie augmente la densité de la mémoire flash en empilant 32 couches de transistors pour former des cellules de mémoire verticales. Cette solution évite les problèmes d’interférence que les constructeurs rencontrent lorsqu’ils tentent de réduire la taille des transistors ou l’espace entre deux transistors. Avec leur système vertical, Intel et Micron conçoivent des petits rectangles de mémoire d’environ 12 x 11 mm (« die » en anglais) avec une plus grande densité : 256 Gbits pour de la mémoire MLC (2 bits par cellule) et 384 Gbits pour de la mémoire TLC (3 bits par cellule), moins onéreuse à produire.
En comparaison, les rectangles de mémoire actuels utilisés dans les SSD sont deux à trois fois moins denses (128 Gbits). Les constructeurs empilent plusieurs rectangles pour constituer une puce mémoire. Par exemple, un SSD de 1 To tel que le BX100 de Crucial comporte 16 puces de 64 Go et chaque puce contient 4 rectangles de 128 GB (16 Go). Le nombre de couches n’étant pas limité, il sera possible dans le futur de créer des rectangles de mémoire de 1 Tbit et donc de faire passer la capacité des SSD de 2,5 pouces de 1 To à… 10 To. Il sera aussi possible de concevoir des SSD de 3,5 To à peine plus grands qu’une tablette de chewing-gum (format M.2).
Les constructeurs n’ont pas donné de date pour leurs SSD haute capacité mais il sera possible de proposer rapidement des SSD 2,5 pouces de 2 To et 3 To avec la nouvelle mémoire annoncée par Intel et Micron.
Samsung propose déjà des SSD avec de la mémoire flash 3D
Les deux constructeurs ne sont pas les premiers à annoncer de la mémoire flash 3D puisque Samsung les a précédé en juillet dernier et propose déjà des SSD avec ce type de mémoire : les modèles 850 Pro et 850 EVO. Toutefois, le constructeur utilise de la mémoire MLC 86 Gbits sur le 850 Pro et TLC 128 Gbits sur le 850 EVO. Donc, la mémoire d’Intel et Micron possède une densité trois fois plus élevée. Les deux constructeurs annoncent une mise en production au quatrième trimestre et l’arrivée de SSD basés sur cette technologie l’année prochaine.
Deux autres constructeurs se lancent aussi dans la course à la mémoire flash 3D : SanDisk et Toshiba. Ils viennent d’annoncer une mémoire 3D de 48 couches avec une production commerciale prévue l’année prochaine dans leur nouvelle usine commune de Yokkaichi au Japon.
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