Avec TSMC en tête de la maîtrise technologique qui investit des dizaines de milliards par an et Intel qui a décidé d’ouvrir ses usines à des tiers (et qui met aussi des milliards sur la table), la compétition dans le monde des semi-conducteurs devient une arène sanglante. Et Samsung, double numéro 2 mondial – en tant que sous-traitant et en termes de maîtrise de la finesse de gravure – est bien décidé à ne rien lâcher.
À l’occasion de son Foundry Forum, le coréen a ainsi dévoilé sa feuille de route. À commencer par une petite fausse note, à savoir le report au premier semestre 2022 son déploiement de la technologie 3 nm. Pas de quoi s’inquiéter selon Samsung, car TSMC a fait de même – le passage de 5 nm à 3 nm est loin d’être anodin.
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Samsung prévoit cependant déjà que la version améliorée du node 3 nm, appelé 3GAE et qui utilise un agencement 3D de transistors GAA (gate all around) arrivera dès 2023. L’autre bonne nouvelle, c’est que le déploiement du 2 nm est accéléré et désormais prévu pour le second semestre 2025. Un node qui profitera d’une version améliorée des transistors GAA.
Samsung innove pour les puces très demandées
Les geeks ont bien souvent le regard bloqué sur les puces de pointe de type smartphone, tablettes, PC et autres consoles. Des puces désormais gravées entre 5 nm et 7 nm. Or, ces nodes de pointe ont moins de soucis de disponibilité que les plus anciens, qui ne profitent pas des investissements massifs issus de la course à la finesse. Et ce ne sont pas les constructeurs automobiles, en mal de puces depuis des mois (et sans doute encore pour une bonne année…) qui diront le contraire.
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Et c’est là que Samsung veut marquer des points avec une nouvelle technologie convenant aux puces développées pour des méthodes plus classiques, de type 28 nm – très utilisé en avionique, dans l’auto, dans les équipements télécoms, etc. Le node s’appelle 17LPV (17 nm Low Power Value) et s’avère être une combinaison de gravure des transistors en 14 nm FinFET intégrée dans un flux de production classique. Les puces vont ainsi profiter de plus de densité de transistors, tout en conservant la compatibilité (et les faibles coûts) du 28 nm pour la connectivité.
En clair, les clients vont pouvoir profiter de transistors gravés plus finement – offrant au choix, un die 43% plus petit et 39% de performance, ou 49% de consommation en moins – mais ne paieront pas le surcoût de la gravure totale en 14 nm. Un atout majeur pour les clients qui calibrent leurs coûts de production au centime et qui se battent pour les lignes de production en 28 nm, qui ne profitent plus d’investissements depuis un moment.
Doublement de la production
Autre bonne nouvelle pour résorber cette satanée pénurie : Samsung prévoit que les travaux d’agrandissement de ses usines coréennes et américaine (Texas) vont lui permettre de quasiment doubler (x1,8) le volume de wafers produits chaque mois entre 2021 et 2026. De quoi rassurer un peu toutes les industries du monde qui ont pu mesurer, pendant la pandémie, leur ultra dépendance à un circuit d’approvisionnement en pleine explosion.
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Avec des lignes de production allant de 100 nm jusqu’à 2 nm en 2026 et une usine entièrement dédiée à la production de capteurs d’image, Samsung dispose d’une belle feuille de route quinquennale.
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Mais face aux plus de cent milliards de dollars que TSMC va investir en trois ans, il n’est pas sûr que le coréen puisse vraiment rattraper le taïwanais. En attendant, évidemment, de voir la magnitude des investissements futurs d’Intel dans le domaine…
Sources : AnandTech (1) et (2), Cnet (US)
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