Samsung Electronics, la division de composants électroniques du géant coréen, lance la production de masse de sa cinquième génération de modules de stockage (256 Gbit ou 32 Go) de type V-NAND. Des modules que l’on retrouvera sans doute dans les futurs smartphones haut de gamme de la marque comme le Galaxy S10, et dont la vitesse atteindrait 1,4 Gbit/s, soit 40% de mieux que ceux de la quatrième génération, selon Samsung.
Toujours selon le communiqué de presse du géant, le procédé de fabrication utilisé se nomme “Toggle DDR 4.0” et permet de réduire la consommation électrique des modules de 1,8 à 1,2 volt, ce qui est – en soi – énorme, et d’améliorer les performances de lecture/écriture de 500 microsecondes.
A l’intérieur de chaque module, ce sont pas moins de 90 strates de cellules (3D Charge Trap Flash (CTF) cells) qui sont empilées les unes sur les autres en pyramide. Samsung annonce, qu’en tout, ce sont 85 milliards de ces cellules qui sont présentes dans les modules et que chacune peut héberger jusqu’à 3 bits de données. A ce jour, aucune autre solution ne propose ce type de performances et de construction, Samsung est donc le premier acteur de l’industrie à la proposer.
Pour de la 8K ?
L’utilisation de tels modules sur de futurs smartphones permettrait, entre autre chose, d’améliorer encore les prestations de ces derniers en vidéo. Filmer en 4K à 60 images par seconde requiert des solutions de stockage rapides, pour engranger toutes les informations et limiter les effets de micro coupures ou de ralentissements. Avec de tels débits et une telle capacité de stockage, on peut même imaginer que certains constructeurs de smartphones offriront la possibilité de filmer en 8K ou des modes ralentis (slow motion) à plusieurs centaines d’images par seconde.
Source :
Samsung
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