Une puce gravée à 7 nm, là où la plupart des circuits sont actuellement produits à 14 nm au mieux, avec les 10 nm en point de mire plus ou moins lointain… C’est le pas de géant qu’IBM et quelques partenaires viennent d’annoncer.
Epaulé par des universitaires ou d’autres grands noms, comme Global Foundries ou Samsung, IBM vient de révéler avoir réussi à graver jusqu’à 20 milliards de transistors sur une puce de la taille d’un ongle. C’est approximativement quatre fois la densité et donc la puissance d’un processeur actuel.
Sauver la loi de Moore
Cette avancée apporte un bol d’air à la Loi de Moore en garantissant qu’elle sera encore vérifiée quelques années durant, au moins jusqu’en 2018. Pour mémoire, la loi de Moore veut qu’un processeur double en puissance tous les deux ans pour une même taille. Intel, qui est le chantre de cette loi, connaît depuis quelque temps des problèmes pour suivre son rythme.
De nouveaux moyens, de nouvelles méthodes
Quoi qu’il en soit, ce bond en avant est le résultat de la « combinaison de nouveaux matériaux, de nouveaux outils et de nouvelles techniques », explique Mukesh Khare, vice-président des technologies de semi-conducteurs pour IBM dans un post sur un des blogs du géant américain.
Les ingénieurs ont ainsi utilisé du silicium germanium – et non seulement du silicium-pour la première fois, pour conduire le courant électrique. Ce nouveau matériau est plus rapide à changer d’état et nécessite moins de puissance électrique.
Les chercheurs ont également eu recours à un nouveau procédé de lithographie à base d’EUV, pour Extreme UltraViolet. Selon Mukesh Khare toujours, cette petite révolution a représenté un effort colossal impliquant de multiples avancées scientifiques et technologiques. Les méthodes de fabrication et la façon de concevoir des architectures de puces ont également dû être revues.
Un futur incertain, de nouvelles voies
En juillet 2014, IBM a annoncé investir 3 milliards de dollars dans ces recherches qui visent à prolonger les technologies actuelles utilisées pour fabriquer des processeurs. Malgré cela Mukesh Khare reste prudent. « Si on se tourne vers le futur, il n’y aucun chemin évident pour étendre l’utilisation des semiconducteurs en silicium plus avant », commente-t-il. « La prochaine vague de progression, les 5 nm, sera encore plus difficile à atteindre ». Pour autant, le vice-président en charge de la recherche pour les semiconducteurs rappelle que sa société cherche dans d’autres directions. Notamment du côté de nouveaux matériaux qui remplaceraient le silicium. Il cite notamment les nanotubes de carbone, le graphène ou encore la photonique sur silicium.
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Source :
IBM
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